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英飞凌推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管

来源:http://www.gutancorp.com 责任编辑:ag88环亚娱乐 2019-04-03 18:58

  英飞凌推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管

  2014年6月16日——英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵型。新的1200V碳化硅二极管在作业温度规模内供给超低正向电压,其浪涌电流承受能力进步了一倍以上,并且具有杰出的散热功能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、ag环亚娱乐,不连续电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等运用中大大进步功率,并且牢靠运转。

  第五代碳化硅二极管选用了新的紧凑式芯片规划,将PN结规划融合到肖特基二极管单元场中。这种规划下降了芯片区的微分电阻。因而,二极管损耗比之上一代产品下降了多达30%,譬如在20 kHz频率上以满负荷作业的三相太阳能逆变器的前端升压级中。

英飞凌推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管

  结温为150°C时,典型正向电压仅为1.7V,这比上一代产品下降了30%。这个值也是当时市场上的1200V碳化硅二极管中最低的正向电压值。因而,这款新的碳化硅二极管特别适用于以相对较高负荷作业的运用,如不连续电源体系。此外,即便作业在较低开关频率下,也能进步体系功率。

  取决于二极管电流等级,它可完成最高14倍于标称电流的浪涌电流承受能力,这确保了二极管在运用发作浪涌电流时完成牢靠运转。这样便无需运用旁路二极管,然后下降了复杂度,减少了体系本钱。

  英飞凌IGBT和碳化硅分立功率器材营销总监Roland Stele表明:英飞凌致力于供给有助于客户最大极限进步其规划功率的产品,新的第五代碳化硅二极管完成了这一方针。因为下降了二极管损耗,该产品适用于规模更广的开关频率,一起,它具有更强的浪涌电流承受能力,可完成更高牢靠性。最新一代英飞凌碳化硅肖特基二极管是朝着充沛发掘碳化硅资料潜力迈出的一大步。

  在升压拓扑和功率要素校对(PFC)升压拓扑中结合新的1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管和英飞凌鹤立鸡群的1200V Highspeed3 IGBT可以全面进步体系功能。比较于选用传统硅二极管的解决方案,经过下降导通损耗(这答应运用更小尺度的散热片或进步功率)和下降EMI(更细巧的更高性价比的EMI滤波器),不只下降了二极管损耗,并且改进了Highspeed3 IGBT的功能。

  

   英飞凌碳化硅肖特基二极管逆变器