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环亚娱乐平台英飞凌推出新式IGBT 将总功耗成功降至最低水平

来源:http://www.gutancorp.com 责任编辑:ag88环亚娱乐 2019-04-03 18:58

  英飞凌推出新式IGBT 将总功耗成功降至最低水平

  德国慕尼黑–2015年2月6日–英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/ OTCQX:IFNNY)近来推出新式低饱满压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率规模进行了优化。这个规模的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列根据 TRENCHSTOP™5 薄晶片技能,使正本就很低的导通损耗由于载流子结构的优化得到了进一步下降。

  凭仗 25°C时典型饱满压降 (VCE(sat)) 为1.05 V的傲人成果,ag环亚娱乐此类新式 IGBT成功地将功率水平提高到一个新的高度 —— 用 L5 系列替代它的长辈 TRENCHSTOP IGBT,使功率在NPC1拓扑中提高高达 0.1%,在 NPC 2 拓扑中提高 0.3%。再加上VCE(sat)的温度系数为正,坚持高功率的一起还能直接并联——树立了20kHz 以下频率的IGBT的职业标杆。铸造新 L5系列魂灵的 TRENCHSTOP5技能,不光能供给无与伦比的低传导损耗,还能将25℃时的总开关损耗降至1.6 mJ。综上所述,在低开关频率运用场合运用英飞凌新推出的低饱满压降 IGBT 能提高功率,添加可靠性而且缩小体系的尺度。

  第一波问世的新L5 IGBT系列选用业界规范的TO-2473针封装技能。此外,为了满足需要进一步增强功率的运用场合,英飞凌还供给 TO-247 4针开尔文-发射极封装版(Kelvin-Emitter package)的 L5 IGBT。环亚娱乐平台,与规范的 TO-247 3针封装版比较,TO-247 4针封装版的开关损耗减少了 20%。因而,L5与TO-247 4针封装的结合,不光发明了终极版低传导能耗和低开关损耗成果,还协助英飞凌稳固了在为高功率商场供给高度立异而且异乎寻常的产品方面的领先地位。

英飞凌推出新式 IGBT

  装备标准

  新式低饱满压降L5系列有30A和75A两种标准,一种是单IGBT方式,另一种则合装有英飞凌的超快Rapid 1和Rapid 2硅二极管。TO-247 4针开尔文-发射极封装版有75A标准。

  

   英飞凌IGBT光伏逆变器